中子探测器重要技术碳化硼薄膜实现国产化，为业界最大面积

发布时间：2023-10-17 11:30:14 所属栏目：动态来源：未知

导读： 　　最近，使用自己研发的配备了强力磁场来弯曲金属板的设备 - - 磁控濳片技术(Magnetic Deposition Pump Technique)，中国的散裂中子源(CSNS) 的小组成功地实现了大规模地对铜、钛及钽等元

　　最近，使用自己研发的配备了强力磁场来弯曲金属板的设备 - - 磁控濳片技术(Magnetic Deposition Pump Technique)，中国的散裂中子源(CSNS) 的小组成功地实现了大规模地对铜、钛及钽等元素进行薄膜敷布。成功制备出满足中子探测器需求的高性能大面积碳化硼薄膜样品。

　　经过查询得知，相关薄膜单片面积达到 1500mm×500mm，薄膜厚度 1 微米，全尺寸范围内厚度均匀性优于 ±1.32%，号称是“目前国际上用于中子探测的最大面积的碳化硼薄膜”。

　　不过据悉，这一研究团队经过团队多年锲而不舍的技术攻关和精心设计的工艺生产线的试制，攻克了溅射靶材制作、过渡层选择、基材表面处理等对镀膜质量影响大的关键技术，设计出了自主研制的磁控溅射大面积镀硼专用装置。

　　研究人员利用该装置制备了多种规格的碳化硼薄膜，并成功应用于 CSNS 多台中子谱仪上的陶瓷 GEM 中子探测器，从而实现了中子探测器关键技术和器件的国产化，为接下来研制更大面积的高性能新型中子探测器提供了强有力的技术支撑。这一成果填补了国内空白，也标志着我国在该领域达到世界先进水平。

（编辑：滁州站长网）

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